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高溫高濕反偏老化測試系統（H3TRB）是一種用于評估半導體器件在高溫、高濕和反偏電壓環境下的可靠性的設備。該系統可以進行高溫高濕（雙85）老化測試，通過模擬器件在實際應用中可能遇到的惡劣環境條件，來測試器件的耐久性和性能表現。
H3TRB 系統的工作原理：
高溫高濕環境： 系統會提供一個高溫（通常為 85℃-150℃）和高濕（通常為 85%RH-98%RH）的環境，模擬器件在實際應用中可能遇到的熱濕環境。
反偏電壓： 系統會對器件施加一個反向偏置電壓，模擬器件在實際應用中可能遇到的電壓應力。
長時間測試： 器件會在高溫高濕和反偏電壓的環境下進行長時間的測試，通常為幾百小時甚至幾千小時。
H3TRB 系統的應用：
半導體器件可靠性評估： 通過 H3TRB 測試，可以評估器件在高溫高濕和反偏電壓環境下的可靠性，并篩選出性能不合格的器件。
半導體器件老化篩選： H3TRB 測試可以用于老化篩選器件，將性能不穩定或壽命較短的器件篩選出來，確保器件的長期穩定性。
半導體器件壽命預測： 通過分析 H3TRB 測試結果，可以預測器件的壽命，并為器件的壽命管理提供依據。
產品選型表 | ||||
體 積 | 系統主機：175cm(寬)×150cm(深)×190cm(高) | |||
老化板存放箱： 58cm(寬)×63cm(深)×110cm(高) | ||||
試驗類型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
試驗容量 | 通道數 | 8通道□ / 16通道 | ||
試驗工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
試驗條件 | 溫濕度環境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
試驗電壓 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 橫插板□ / 豎插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用條件 | 交流輸入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去離子水：□ | 環境溫度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
無強干擾源：□ | 相對濕度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小時 口 / 8000小時 □ / 5000小時 口； | |||
適用標準 | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高溫高濕反偏）測試適用于各種封裝形式的半導體分立器件，包括
二極管：
整流二極管： 如硅整流二極管、肖特基二極管等
穩壓二極管： 如齊納二極管、TVS 管等
發光二極管： 如LED、激光二極管等
光敏二極管： 如光電二極管、光敏三極管等
三極管：
雙極型三極管： 如NPN、PNP 型三極管
場效應管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶閘管： 如普通晶閘管、雙向晶閘管等
GTO（門極可關斷晶閘管）
MCT（MOS控制晶閘管）
其他器件：
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）
IPM（智能功率模塊）
光電耦合器
繼電器
適用H3TRB測試的器件封裝形式：
SMD 表面貼裝器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
高溫高濕反偏老化測試系統（H3TRB）是一種用于評估半導體器件在高溫、高濕和反偏電壓環境下的可靠性的設備。該系統可以進行高溫高濕（雙85）老化測試，通過模擬器件在實際應用中可能遇到的惡劣環境條件，來測試器件的耐久性和性能表現。
H3TRB 系統的工作原理：
高溫高濕環境： 系統會提供一個高溫（通常為 85℃-150℃）和高濕（通常為 85%RH-98%RH）的環境，模擬器件在實際應用中可能遇到的熱濕環境。
反偏電壓： 系統會對器件施加一個反向偏置電壓，模擬器件在實際應用中可能遇到的電壓應力。
長時間測試： 器件會在高溫高濕和反偏電壓的環境下進行長時間的測試，通常為幾百小時甚至幾千小時。
H3TRB 系統的應用：
半導體器件可靠性評估： 通過 H3TRB 測試，可以評估器件在高溫高濕和反偏電壓環境下的可靠性，并篩選出性能不合格的器件。
半導體器件老化篩選： H3TRB 測試可以用于老化篩選器件，將性能不穩定或壽命較短的器件篩選出來，確保器件的長期穩定性。
半導體器件壽命預測： 通過分析 H3TRB 測試結果，可以預測器件的壽命，并為器件的壽命管理提供依據。
產品選型表 | ||||
體 積 | 系統主機：175cm(寬)×150cm(深)×190cm(高) | |||
老化板存放箱： 58cm(寬)×63cm(深)×110cm(高) | ||||
試驗類型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
試驗容量 | 通道數 | 8通道□ / 16通道 | ||
試驗工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
試驗條件 | 溫濕度環境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
試驗電壓 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 橫插板□ / 豎插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用條件 | 交流輸入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去離子水：□ | 環境溫度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
無強干擾源：□ | 相對濕度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小時 口 / 8000小時 □ / 5000小時 口； | |||
適用標準 | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高溫高濕反偏）測試適用于各種封裝形式的半導體分立器件，包括
二極管：
整流二極管： 如硅整流二極管、肖特基二極管等
穩壓二極管： 如齊納二極管、TVS 管等
發光二極管： 如LED、激光二極管等
光敏二極管： 如光電二極管、光敏三極管等
三極管：
雙極型三極管： 如NPN、PNP 型三極管
場效應管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶閘管： 如普通晶閘管、雙向晶閘管等
GTO（門極可關斷晶閘管）
MCT（MOS控制晶閘管）
其他器件：
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）
IPM（智能功率模塊）
光電耦合器
繼電器
適用H3TRB測試的器件封裝形式：
SMD 表面貼裝器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
滬ICP備12031864號-4